扬杰电子申请增强栅氧可靠性的 SiC MOSFET 器件及制备方法专利，显著提高栅氧底部的可靠性

金融界 2025 年 4 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种增强栅氧可靠性的 SiC MOSFET 器件及制备方法”的专利，公开号 CN 119743969 A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，一种增强栅氧可靠性的 SiC MOSFET 器件及制备方法，涉及半导体技术领域。在 N‑区中依次形成 P+区和栅底氧化层，栅底氧化层可以在不影响器件导通电阻的情况下显著提高栅氧底部的可靠性，且栅底氧化层也可降低芯片的 Crss 寄生电容，有利于器件高频应用；再利用 P+区屏蔽栅氧底部的电场，可进一步提升栅氧可靠性。

天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币，实缴资本54231.5万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目164次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息704条，此外企业还拥有行政许可233个。

本文源自金融界